制造半导体集成电路器件的方法

摘要

在一个共用的工序中形成了P和N沟道MOS场效应晶体管的P和N型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在N型源或漏区以离子注入法注入一种N型杂质。把此N型杂质退火以形成一个比N型源或漏区为深的N型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此N型源或漏区。

主权项

1、一种制造半导体集成电路器件的方法，它包括：(a).在一半导体基片上形成N沟道MOS场效应晶体管以及P沟道MOS场效应晶体管的工序，所说N沟道MOS场效应晶体管有一个N型半导体区域，而所说P沟道MOS场效应晶体管有一个P型半导体区域；(b).形成一层用来覆盖所说那些MOS场效应晶体管的绝缘薄膜的工序；(c).形成在所说绝缘薄膜内的一些接触孔的工序，在所说N和P型半导体区域上至少各自形成有所说这些接触孔中的一个孔，以及(d).通过所说接触孔，至少在所说的N型半导体区域注入一种N型杂质的离子注入工序。