| 摘要 |
<P>PROCEDE DE FABRICATION D'UN LASER A SEMI-CONDUCTEUR A RUBAN ENTERRE.</P><P>APRES REALISATION D'UNE DOUBLE HETEROSTRUCTURE 2, 3, 4, 5 SUR UN SUBSTRAT 1 ON IMPLANTE DANS LA COUCHE DE CONTACT 5 UN DOPANT DE TYPE P, CE QUI A POUR EFFET DE LA RENDRE AMORPHE. ON ATTAQUE CHIMIQUEMENT L'ENSEMBLE A L'EXCEPTION D'UN RUBAN, CE QUI LAISSE UNE MESA. UNE REPRISE D'EPITAXIE PERMET D'ENTERRER LE CANAL. CETTE REPRISE NE CONDUIT PAS UNE CROISSANCE CRISTALLINE SUR LA SURFACE SUPERIEURE DE LA COUCHE DE CONTACT, BIEN QUE LE RECUIT AYANT LIEU PENDANT LA REPRISE D'EPITAXIE DONNE DE BONS CONTACTS OHMIQUES AU NIVEAU DE LA COUCHE IMPLANTEE.</P>
|
