电子器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的重叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为400毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。

主权项

1、一种用于制造电子器件的方法，该器件至少有一个刻制图形的导电金属层，包括的步骤是：形成一个导电金属层部分；用400毫微米或更短波长的点状的和光能量大于导电金属层部分的光能带带宽的激光束对导电金属层部分进行扫描，从而形成刻有图形的导电金属层。