| 摘要 |
Détecteur semiconducteur de faible capacité pour déceler un rayonnement et des particules (T1), possédant un corps semiconducteur d'un premier type de conductivité (p. ex. type n), sur lequel est appliquée au moins une électrode collectrice pour les porteurs majoritaires. Sur les deux surfaces principales (1, 2) du corps semiconducteur sont prévues des zones d'un second type de conductivité (p+; p+2, p+4) qui forment avec le corps semiconducteur des couches diélectriques polarisées de telle sorte que le corps semiconducteur est pratiquement entièrement appauvri en porteurs majoritaires et qu'un gradient de potentiel (PM) est prévu dans le corps semiconducteur grâce auquel les porteurs majoritaires créés par le rayonnement s'écoulent vers l'électrode collectrice. Un mode de réalisation de la présente invention est caractérisé par le fait que sur l'une des deux surfaces principales (2) entre les zones du second type de conductivité (p+2, p+4) sont prévues des zones du premier type de conductivité (n+1, n+3, n+5) qui sont polarisées dans le sens de non-conduction par rapport aux zones du second type de conductivité, alors qu'est prévue sur l'autre surface principale (1) une zone à grande surface du second type de conductivité (p+) de faible résistance superficielle. Un autre mode de réalisation de la présente invention est caractérisé par le fait que sur au moins l'une des deux surfaces principales entre les zones des deux types de conductivité sont prévues des zones du premier type de conductivité qui sont polarisées dans le sens de non-conduction par rapport aux zones du second type de conductivité, et par le fait que des tensions extérieures ne sont appliquées qu'aux zones d'une surface principale (fig. 3-5). |
