| 摘要 |
<p>Temperatursensor in Form eines temperaturabhängigen, nach dem Stromausbreitungsprinzip arbeitenden Halbleiterwiderstandes mit einem Halbleiterkörper vom einen Leitungstyp aus Silicium, der an seiner Unterseite mit einer gut leitenden Schicht an seiner mit einer Siliciumoxidschicht oder einer Siliciumnitridschicht bedeckten Oberseite mit mindestens einer Kontaktzone von einen Leitungstyp versehen ist. Um bei einem solchen Temperatursensor zu erreichen, daß der vorgegebene Widerstandswert besser eingehalten wird und der Temperaturkoeffizient nur eine geringe Streuung aufweist, wird der halbleiterkörper an seiner, der Siliciumoxidschicht oder Siliciumnitridschicht benachbarten Oberfläche mit einer Oberflächenzone vom anderen, entgegengesetzten Leitungstyp versehen. Dadurch ist es möglich, den Einfluß von Ladungen auf der Siliciumoxidschicht bzw. Siliciumnitridschicht, deren Anzahl und Beweglichkeit nicht reproduzierbar sind, auf das Bauelement so gering wie möglich zu halten, bzw. Völlig zu kompensieren.</p> |
