APPAREIL POUR EXTRAIRE DES MONOCRISTAUX D'UN BAIN DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR FONDU CONTENU DANS UN CREUSET

摘要

POUR AUGMENTER LA VITESSE D'EXTRACTION DU MONOCRISTAL 6, IL FAUT AUGMENTER LE GRADIENT DE TEMPERATURE (DTDX) DANS LA PHASE SOLIDE DU MONOCRISTAL A L'INTERFACE SOLIDE-LIQUIDE. COMME LE MONOCRISTAL EST TOUJOURS CHAUFFE PAR LE RAYONNEMENT DE CHALEUR DU DISPOSITIF DE CHAUFFAGE 4, IL EST PREFERABLE DE REDUIRE LA TEMPERATURE DE CELUI-CI. L'ABAISSEMENT DE LA TEMPERATURE DU DISPOSITIF DE CHAUFFAGE CREE CEPENDANT LE PROBLEME QUE LA SURFACE DU BAIN 3 SE SOLIDIFIE FACILEMENT DANS LA ZONE SUPERFICIELLE 3A CONTIGUE A LA PAROI INTERNE DU CREUSET 2. POUR RESOUDRE CE PROBLEME, LE DISPOSITIF DE CHAUFFAGE 4 EST CONSTRUIT DE MANIERE QUE LA PARTIE SUPERIEURE DU BAIN 3 SOIT PORTEE A UNE TEMPERATURE PLUS ELEVEE QUE LA PARTIE INFERIEURE DU BAIN.