| 主权项 |
1.一种电子发射源,其特征包括: 一基板(11),该基板由包括一金属作为极微管纤维 之主要元件成长核的一材料所制造,并且具有复数 个贯孔(13);以及 一外层薄膜(12),由形成在该基板表面和该等贯孔( 13)的墙面(14)的极微管纤维所组成。2.如申请专利 范围第1项所述之电子发射源,其中组成该外层薄 膜之极微管纤是以碳为材料制成。3.如申请专利 范围第1项所述之电子发射源,其中该基板是以一 铁或一铁合金为材料制成。4.如申请专利范围第1 项所述之电子发射源,其中该等极微管纤维是卷曲 的覆盖在该基板的一曝光面。5.如申请专利范围 第1项所述之电子发射源,其中该基板是以选择包 括组成铁、镍、钴群组之一元件,以及包括选用至 少一铁、镍、钴之元件的一合金为材料所制成。6 .如申请专利范围第1项所述之电子发射源,其中该 等极微管纤维在该基板的表面和贯孔的墙面垂直 地延伸以覆盖该基板的一曝光面。7.如申请专利 范围第1项所述之电子发射源,其中该基板是为形 成伴随大量贯孔的一格子形状。8.如申请专利范 围第1项所述之电子发射源,其中该外层薄膜到该 等极微管纤维的厚度为10m到30m,而每一个极微 管纤维的厚度小于10nm但不小于1m,以及每一个极 微管纤维的长度小于100m但不小于1m。9.一种 电子发射模组,其特征包括: 一基板电极(106b); 一电子发射源(10),在真空压力下置于该基板电极 上,该电子发射源包括:一基板(11),由包括一金属作 为极微管纤维之主要元件成长核的一材料所制造, 并且具有复数个贯孔(13);以及一外层薄膜(12),由形 成在该基板表面和该等贯孔的墙面(14)的极微管纤 维所组成;以及 一格子外罩(106c),覆盖该电子发射源的外表面以及 横越在适用于该基板电极的一高电压。10.如申请 专利范围第9项所述之模组,其中该电子发射源的 该基板是以一铁或一铁合金为材料制成;以及 该电子发射源的该等极微管纤维以碳为材料制成 并且卷曲的覆盖在该基板的一曝光面。11.如申请 专利范围第9项所述之模组,其中该电子发射源的 基板是以选择包括组成铁、镍、钴群组之一元件, 以及包括选用至少一铁、镍、钴之元件的一合金 为材料所制成;以及 该电子发射源的该等极微管纤维以碳为材料制成 并且在该基板的表面和贯孔的墙面垂直地延伸以 覆盖该基板的一曝光面。12.一种制造电子发射源 之方法,其特征包括下列步骤: 安排一基板(11)在一既定浓度与包含一碳混气体( carbon compound gas)的一原料气体之压力下,以一铁或 一铁合金为材料制成并且具有大量的贯孔(13);以 及 将该基板加热至一既定的温度并且维持一既定的 时间周期,以便该基板表面和贯孔墙面在卷曲的状 态下成长碳极微管纤维,因而形成一外层薄膜(12) 以覆盖该基板的表面和该等贯孔的墙面。13.如申 请专利范围第12项所述之方法,其中该原料气体由 主要包含如一碳导气体之甲烷的混合气体和如一 成长增进气体的氢气所组成。14.如申请专利范围 第12项所述之方法,其中构成该等极微管纤维之外 层薄膜是使用一热CVD(化学气相沈积)装置建立。15 .一种制造电子发射源之方法,其特征包括下列步 骤: 安排一基板(11)在包含一既定浓度之碳混气体的一 原料气与一既定压力气体中,选择包括组成铁、镍 、钴群组之一元件, 及包括选用至少一铁、镍、钴之元件的一合金为 材料所制成,并且具有大量的贯孔(13);以及 将该原料气体在既定的一时间周期和一平行电场 内使用发热放电一微波以电浆化(plasmatizing)成一 电浆,以便在该基板的表面和贯孔的墙面垂直地成 长碳极微管纤维,因而形成覆盖在该基板一曝光面 的一外层薄膜。16.如申请专利范围第15项所述之 方法,在一既定的氢或一稀薄气体的压力气压中, 其电浆化更包括氢或稀薄气体其中之一在一平行 电场内使用发热放电一微波,因此可用离子爆裂清 理和活化该基板的曝光面。17.如申请专利范围第 15项所述之方法,其中该原料气体包含主要由如一 碳导气体的甲烷和如成长增进气体的氢所构成的 一混合气体。18.如申请专利范围第15项所述之方 法,其中构成该等极微管纤维之外层薄膜是使用一 微波电浆CVD(化学气相沈积)设备建立。图式简单 说明: 第1A图系显示根据本发明第一个实施例之一电子 发射源的平面图; 第1B图系显示沿第1A图电子发射源中Ⅰ到Ⅰ之剖面 图; 第2图系显示第1A图和第1B图电子发射源中形成在 基板上外层薄膜之电子显微照相图; 第3图系显示第1A图和第1B图电子发射源中形成在 基板上外层薄膜之放大电子显微照相图; 第4图系显示第1A图和第1B图中电子发射源的电子 发射密之分布图; 第5图系显示使用第1A图和第1B图的电子发射源时, 一真萤光显示器之纵剖面图; 第6图系显示用来形成第1A图和第1B图电子发射源 外层薄之制造装置排列图; 第7图系显示根据本发明第二个实施例中形成一电 子发射源板上之外层薄膜的电子显微照相图; 第8图系显示第7图极微管纤维之电子显微照相图; 以及 第9图系显示根据第二个实施例中用以形成电子发 射源之外薄膜的制造装置排列图。 |
