| 发明名称 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS DOPES DANS UN SYSTEME FERME, PAR CROISSANCE EPITAXIALE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2504943(B1) |
申请公布日期 |
1985.12.13 |
| 申请号 |
FR19820007129 |
申请日期 |
1982.04.26 |
| 申请人 |
CONSORTIUM ELEKTROCHEMISCHE IND |
发明人 |
CLAUS HOLM ET ERHARD SIRTL;SIRTL ERHARD |
| 分类号 |
C30B25/22;(IPC1-7):C30B23/06;C30B31/06;H01L21/203;H01L31/18 |
主分类号 |
C30B25/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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