发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG KOMPLEMENTAERER MOS-TRANSISTOREN MIT NIEDRIGER SCHWELLENSPANNUNG IN INTEGRIERTEN SCHALTUNGEN HOHER DICHTE SOWIE DAMIT HERSTELLBARE STRUKTUR
摘要
申请公布号 DE3500528(A1) 申请公布日期 1985.07.18
申请号 DE19853500528 申请日期 1985.01.09
申请人 SGS-ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A. 发明人 BALDI,LIVIO;CORDA,GIUSEPPE,DR.;IANNUZZI,GIULIO,DR.;RE,DANILO,DR.;SANTI,GIORGIO,DR. DE
分类号 H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82;H01L27/04 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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