Process for the simultaneous production of rapid short-channel and voltage-resistant MOS transistors in VLSI circuits.

摘要

Zur Herstellung von hochintegrierten MOS-Feldeffekttransistorschaltungen, bei denen digitale und analoge Funktionen durch Kurzkanaltransistoren und Analogtransistoren auf einem Chip integriert werden, wird eine an die n-Wannenherstellung angepaßte Verfahrensfolge durchgeführt, bei der insbesondere durch eine zusätzliche Drain-Implantation (Kurve II) mit Drive-In-Diffusion vor der eigentlichen Source/Drain-Implantation (Kurve I) der n-Kanal-Transistoren ein möglichst weicher Feldverlauf vor dem drainseitigen pn-Übergang des Analogtransistors erzielt wird. Sowohl die zusätzliche Implantation als auch die Source/Drain-Implantation wird mit Phosphor Ionen ausgeführt, wobei die Dosis der zusätzlichen Implantation ein bis zwei Größenordnungen unter der Dosis der eigentlichen Implantation liegt und die Eindringtiefe x bei der zusätzlichen Drive-In-Diffusion etwa doppelt so groß wie die Eindringtiefe x der eigentlichen Source/Drain-Gebiete gewählt wird. Das Verfahren wird angewandt bei der Herstellung hochintegrierter CMOS-Schaltungen.