| 摘要 |
<p>Dispositif à couplage de charges (CCD) sensible au rayonnement infrarouge, composé d'une succession de trois couches en matériau semiconducteur du groupe III-V, une couche fenêtre, une couche sensible et une couche de stockage fixées sur une lame support servant d'entrée pour le rayonnement, et de face arrière pour le dispositif, la face avant de ce dernier supportant une pluralité d'électrodes de commande et au moins une électrode de sortie. Ce dispositif est remarquable en ce que la couche fenêtre et la couche de stockage sont des couches d'un composé binaire AB, tandis que la couche sensible est d'un composé n-aire (A,X,Y...)III (B,M,N...)V de plus large bande d'énergie interdite et de plus faible longueur d'onde d'absorption limite que les couches précédentes. Un procédé de réalisation d'un tel dispositif est remarquable en ce que ces trois couches sont réalisées par croissance épitaxiale sur un substrat du composé binaire AB recouvert d'une couche épitaxiale du composé n-aire dite d'arrêt chimique, le substrat et la couche d'arrêt chimique étant éliminés ultérieurement par voie chimique. Application: caméras infrarouges</p> |
