MEMORY USING MULTIPLEXED ROW AND COLUMN ADDRESS LINES.

摘要

Une mémoire composée de rangées et de colonnes de cellules de mémoire utilise un tampon d'adresse d'entrée multiplexé (14) possédant des lignes de sorties d'adressage par rangée/colonne (RCA1...RCAM) qui sont couplées à un multiplexeur (20) et à des décodeurs de colonnes (16). Le multiplexeur est couplé à des décodeurs d'adresses de rangées (18) et permet de coupler sélectivement les lignes d'adressage aux décodeurs de rangées. Les lignes d'adressage véhiculent généralement d'abord les informations d'adressage de rangées et ensuite les informations d'adressage de colonnes. L'utilisation d'une partie commune des lignes d'adressage pour coupler le tampon d'adressage aux décodeurs de colonnes et au multiplexeur permet de réduire la taille totale de la mémoire et, par conséquent, d'accroître le rendement et de réduire les coûts.