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Dispositif réacteur (10) adapté pour produire en continu du silicium élémentaire en fusion de pureté élevée pour cellules solaires par réaction thermique d'un gaz précurseur approprié, tel que du silane (SiH4). Le réacteur (10) comprend un corps de réacteur allongé (32) possédant des parois en graphite ou en carbone qui sont chauffées à une température dépassant le point de fusion du silicium. Le gaz précurseur pénètre dans le corps du réacteur (32) au travers d'un assemblage de tubes d'admission (22) efficacement refroidis et d'une cloison relativement mince en carbone ou graphite (44). La cloison (44), étant en contact d'un côté avec l'orifice d'admission refroidi (22) et de l'autre côté avec l'intérieur du réacteur (32), permet d'obtenir un gradient de température abrupt pour le gaz précurseur pénétrant dans le réacteur (32) et rend le fonctionnement de l'assemblage de tubes d'admission (22) sensiblement exempt d'obstructions. Le gaz précurseur s'écoule dans le réacteur (32) d'une manière sensiblement régulière et douce et pratiquement axialement. Le silicium liquide formé dans les étages initiaux de la réaction thermique réagit avec les parois de graphite ou carbone et forme sur ces parois un revêtement de carbure de silicium. Le réacteur recouvert de carbure de silicium est parfaitement adapté pour une utilisation prolongée dans la production de silicium de pureté élevée pour cellules solaires. Le silicium liquide (20) produit dans le réacteur (10) peut être utilisé directement dans un équipement de Czochralski ou analogue de mise en forme de cristaux. |
