| 摘要 |
<p>Inventia se refera la un procedeu de pasivare a jonctiuniilor semiconductoare mesa din siliciu utilizate pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare de putere si înalta tensiune. Procedeul, conform inventiei, în scopul evitarii contaminarii ionice a suprafetei jonctiunilor mesa si eliminarii fluctuatiilor stocate în starile de interfata, prevede cresterea direct pe suprafasa siliciului decapat chimic a unui strat de oxid termic cu adaus de compusi clorurati de grosdime 5000..... 8000 A si acoperirea lui cu un strat de sticla de grosime aproximativ egala cu adîncimea santului mesa. în scopul obtinerii pe plachetele de siliciu a oxidului termic cu adaus de compusi clorurati, la temperaturi de 900.....1000 degree C, în acelasi cuptor de oxidare se efectueaza succesiv o oxidare uscata umeda timp de 5....6h o oxidare uscata cu adaus de compusi clorurati (HCl, CHCl3, Cl2) cu o concentratie volumica de 0,5.....1% timp de 1...2h si un tratament final pe N2 uscat timp de 15....30 min.</p> |
