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<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UNE STRUCTURE PARTICULIERE DE DOIGT D'EMETTEUR DANS UN TRANSISTOR DE COMMUTATION DE TYPE NPN. LA ZONE D'EMETTEUR EST DIVISEE EN DEUX BANDES DE TYPE N LATERALES 11 ET 12. DANS LA PARTIE CENTRALE, SONT PREVUES, D'UNE PART, UNE DIFFUSION DE DOPANTS DE TYPE N DONT LA PROFONDEUR DE JONCTION23 EST FAIBLE ET, D'AUTRE PART, UNE DIFFUSION D'OR 24 SENSIBLEMENT DE MEME PROFONDEUR QUE CELLE DE LA PROFONDEUR DE JONCTION DES ZONES 11 ET 12. ON ELIMINE AINSI TOUTE POSSIBILITE D'INJECTION AU CENTRE DU DOIGT D'EMETTEUR, CE QUI PERMET D'OBTENIR DES TRANSISTORS A RAPIDITE ACCRUE.</P>
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