发明名称 Process for making polycrystalline silicon ingots suitable for subsequent zone melting.
摘要 Zur Verbesserung des Wirkungsgrades von in der Solartechnik einsetzbaren Siliciums wird billiges im Lichtbogenverfahren gewonnenes Silicium, bevor es einem Zonenziehprozeß unterzogen wird, in Stabform gegossen, dabei werden zum Zwecke der wiederholten Benutzbarkeit der Gießform ihre Innenflächen zuerst mit einem Trennmittel (9), das weder mit dem flüssigen Silicium legiert noch mit dem Material der Gießform reagiert, ausgekleidet und danach wird in die so vorbehandelte Form das aus dem Quarzreduktionsofen anfallende flüssige Silicium (5) eingefüllt und gerichtet zum Erstarren gebracht.
申请公布号 EP0095757(A1) 申请公布日期 1983.12.07
申请号 EP19830105284 申请日期 1983.05.27
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 REUSCHEL, KONRAD, DR.
分类号 B22D25/04;B22C1/12;B22C9/06;C01B33/02;C30B11/00;C30B13/00;C30B13/14;C30B29/06;H01L21/208;(IPC1-7):C30B13/00 主分类号 B22D25/04
代理机构 代理人
主权项
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