| 主权项 |
1.一种薄膜基板,其特征为: 于薄膜基材上形成导体配线, 该导体配线具有在前述薄膜基板对图像显示用平 面基板实际安装时可弯曲之弯曲部, 前述导体配线之薄膜基板上外部连接部的导体配 线厚度及与半导体元件的电极之连接部的导体配 线厚度,系形成比前述导体配线之前述弯曲部的导 体配线厚度还厚, 前述导体配线之与前述半导体元件的电极之连接 部及前述薄膜基板上外部连接部以外之区域,系由 比与前述半导体元件的电极之连接部及前述薄膜 基板上外部连接部的厚度还薄的绝缘膜所覆盖。 2.一种薄膜基板之制造方法,是使用形成有连接半 导体元件的导体配线之薄膜基材来制造薄膜基板, 该薄膜基板之制造方法之特征为: 在形成有前述导体配线的薄膜基材面上形成光阻; 其次,在薄膜基板上外部连接部之位置及与前述半 导体元件的连接部位置,使前述光阻形成开口部并 使前述导体配线的一部分露出; 其次,藉由施予金属电镀而在前述光阻之开口部中 的导体配线上再形成导体配线; 其次,于除去前述光阻时,不除去全部光阻,而会在 前述导体配线中之与前述半导体元件的连接部及 前述薄膜基板上外部连接部以外的区域中残留比 既施予金属电镀的前述薄膜基板上外部连接部及 与前述半导体连接部之厚度还薄的光阻。 3.如申请专利范围第2项所记载之薄膜基板之制造 方法,其中前述薄膜基材配置有薄膜搬运用薄膜孔 的补强用导体; 在前述光阻形成开口部时,在前述补强用导体部之 位置亦形成开口,并藉由施予金属电镀而在补强用 导体部上再形成导体。 4.一种薄膜基板之制造方法,是使用至少单面是整 面由基底金属所覆盖的薄膜基材以制造搭载半导 体元件的薄膜基板,该之制造方法,其特征为: 在设置有前述基底金属的薄膜基材面上形成第1光 阻; 其次,在前述第1光阻形成开口部并使前述基底金 属露出一部分; 其次,藉由施予金属电镀而在前述第1光阻之开口 部形成第1导体配线; 接着,在设置有该第1导体配线的面上形成第2光阻; 其次,在薄膜基板上外部连接部位置,使前述第2光 阻形成开口部并使前述第1导体配线的一部分露出 ; 其次,藉由施予金属电镀而在前述第2光阻之开口 部中的前述第1导体配线上形成第2导体配线; 接着,除去前述第1光阻及前述第2光阻; 其次,藉由蚀刻以除去前述第1导体配线间之前述 基底金属,并将前述第1导体配线各自以电气方式 分离。 5.如申请专利范围第4项所记载之薄膜基板之制造 方法,其中在前述第2光阻形成开口部时,亦在与前 述半导体元件的连接部位置形成开口,并藉由施予 金属电镀而在与半导体元件的连接部之第1导体配 线上形成第2导体配线。 6.如申请专利范围第4或5项所记载之薄膜基板之制 造方法,其中在前述第1光阻形成开口部时,亦在薄 膜搬运用薄膜孔的补强用导体部位置开口,并藉由 施予金属电镀而在前述补强用导体部位置形成导 体; 而在前述第2光阻形成开口部时,亦在前述补强用 导体部位置形成开口,并藉由施予金属电镀而在补 强用导体部位置再形成导体。 7.一种薄膜基板之制造方法,是使用至少单面是整 面被第1导体所覆盖的薄膜基材以制造搭载半导体 元件之薄膜基板,该薄膜基板之制造方法的特征为 : 在设置有前述第1导体的薄膜基材面上形成第1光 阻; 其次,在连接半导体元件的导体配线之薄膜基板上 外部连接部位置及薄膜搬运用孔的补强用导体部 位置,使前述第1光阻形成开口部并使前述第1导体 的一部分露出; 其次,藉由施予金属电镀而在前述第1光阻之开口 部中的基板上外部连接部位置及前述补强用导体 部位置的第1导体上形成第2导体; 其次,除去前述第1光阻; 接着,在设置有前述第2导体之面上形成第2光阻; 其次,在连接前述半导体元件的导体配线以外之位 置,在前述第2光阻形成开口部; 其次,藉由蚀刻前述第2光阻的开口部之前述第1导 体及前述第2导体而形成前述导体配线;及 除去前述第2光阻。 图式简单说明: 第1图(a)~(c)是本发明之实施例中的薄膜基板之平 面图,其X-X′间的剖面图,及Y-Y′间之剖面图。 第2图(a)、(b)是显示同薄膜基板连接于图像显示用 平面板之状态,对应于第1图(a)~(c)的Y-Y′间之剖面 图。 第3图是显示同薄膜基板连接于图像显示用平面板 之状态的剖面图。 第4图(a)~(e2)是为了说明同薄膜基板之第1制造方法 的制造制程图,其中第4图(a)~(e2)是显示薄膜基板之 一部分的平面图,及其X-X′间之剖面图。 第5图(a)~(i)是为了说明同薄膜基板之第2制造方法 的制造制程图,其中第5图(a)~(i)是显示薄膜基板之 一部分的平面图,及其Y-Y′间之剖面图。 第6图(a)~(i)是为了说明同薄膜基板之第3制造方法 的制造制程图,其中第6图(a)~(i)是显示薄膜基板之 一部分的平面图,及其X-X′间之剖面图。 第7图是本发明之其他实施例中的薄膜基板之剖面 图。 |
