GaN薄膜贴合基板及其制造方法、与GaN系半导体元件及其制造方法SUBSTRATE HAVING THIN FILM OF GAN JOINED THEREON AND METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND A GAN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

本GaN薄膜贴合基板(1)之制造方法包含以下步骤:于GaN块体结晶体(10)贴合化学组成与GaN不同之异种基板(20);及于与异种基板(20)之界面具有0.1 m以上、100 m以下之距离之面(10t),分割GaN块体结晶体(10),而于异种基板(20)上形成GaN薄膜(10a);GaN块体结晶体(10)之贴合面之最大表面粗度Rmax为20 m以下。藉此,能以低成本来制造一种GaN系半导体元件,其包含:GaN薄膜强固地贴合于异种基板之GaN薄膜贴合基板及形成于GaN薄膜上之至少1层GaN系半导体层。