发明名称 Silicon photovoltaic cell and method for producing it
摘要 Ogniwo fotowoltaiczne charakteryzuje się tym, że ma teksturę powierzchni wykonaną wiązką lasera o długości fali promieniowania 1064 nm lub 355 nm, natomiast warstwę antyrefleksyjną stanowi wielowarstwowe pokrycie antyrefleksyjne Al2O3/ZnO naniesione metodą ALD. Sposób wytworzenia wynalazku, polega na tym, że teksturę powierzchni polikrystalicznej płytki krzemowej wykonuje się wiązką lasera o długości fali promieniowania 1064 nm lub 355 nm o mocy 2 ÷ 50 W w trybie pulsacyjnym z częstotliwością wyzwalania impulsów 3 ÷ 1000 kHz przy prędkości skanowania wiązki laserowej 10 ÷ 400 mm/s, następnie formuje się złącze p-n w wysokotemperaturowym piecu w wyniku dyfuzji, po czym wielowarstwowe pokrycie antyrefleksyjne Al2O3/ZnO o grubości 60 ÷ 100 nm nanosi się metodą ALD używając trimetyloaluminium oraz dietylocynku jako prekursora odpowiednio tlenku aluminium i cynku oraz wody jako reagenta w temperaturze 200 ÷ 400°C, a na tak przygotowana płytkę nanosi się metoda sitodruku kontakt metaliczny przedni i tylni.
申请公布号 PL410404(A1) 申请公布日期 2016.06.06
申请号 PL20140410404 申请日期 2014.12.05
申请人 POLITECHNIKA ŚLĄSKA 发明人 DOBRZAŃSKI LESZEK A.;DRYGAŁA ALEKSANDRA;SZINDLER MAREK;SZINDLER MAGDALENA;WYRWAŁ JANUSZ;JONNDA EWA
分类号 H01L31/00;C30B28/00;C30B29/06;H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/00
代理机构 代理人
主权项
地址