| 发明名称 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KOMPLEMENTAEREN MOS-TRANSISTOREN IN HOCHINTEGRIERTEN SCHALTUNGEN FUER HOHE SPANNUNGEN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE3312720(A1) |
申请公布日期 |
1983.10.13 |
| 申请号 |
DE19833312720 |
申请日期 |
1983.04.08 |
| 申请人 |
SGS-ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A. |
发明人 |
CEROFOLINI,GIANFRANCO |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/033;H01L21/266;H01L21/8238;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/72;H01L21/76;H01L21/26 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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