| 摘要 |
<p>Es wird eine elektrisch löschbare Speichermatrix mit Speicherzellen angegeben, die je einen Tunnelinjektor (I) aufweisen, der einerseits mit einer ersten Bitleitung (X) über die Source-Drain-Strecke eines Floating-Gate-Feldeffekttransistors (Ts) und andererseits mit einer zweiten Bitleitung (Y) über die Source-Drain-Strecke eines Auswahltransistors (Ta) verbunden ist. Die Speicherzellen sind zeilenweise in Gruppen an einer gemeinsamen Programmierleitung (P11...Pwn) und die Gruppen wiederum blockweise an einer gemeinsamen Blockleitung (B1...Bw) organisiert, die über je einen Gruppenwahltransistor (T11...Twn) an der Programmierleitung der zugeordneten Gruppe liegt. Das Problem der Verhütung von Störungen mit nichtangewählter Gruppen beim Schreiben einer angewählten Gruppe wird dadurch gelöst, daß die ersten Bitleitungen (X1...Xm) über die Schaltstrecke je eines Klemmgatters (G1...Gm), das aus einer Source-Drain-Parallelschaltung eines Feldeffekttransitors des Anreicherungstyps mit einem Feldeffektransistor des Verarmungstyps besteht, an Masse liegt, so daß beim Schreiben alle ersten Bitleitungen, spaltenweise getrennt, unter Verwendung einer X-Klemmsignalqelle (Kx) hochohmig mit Masse verbunden werden.</p> |
