| 摘要 |
<p>PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE TRANSPOSICIONES <004>PN<005> VERTICALES EN EL ESTIRADO DE BANDAS, POLIGONOS O TUBOS DE SILICIO. CONSISTE EN AÑADIR A LA MASA FUNDIDA DE SILICIO, SUSTANCIAS IMPURIFICADORAS QUE ACTUAN EN EL CRISTAL DE SILICIO COMO ACEPTADORAS O DONADORAS; DURANTE EL ESTIRADO DE BANDA, EL CRECIMIENTO DE CRISTALES ESTA SOMETIDO A VARIACIONES PERIODICAS DE BAJA A ALTA VELOCIDAD EN LA MEDIDA EN QUE EN LA BANDA DE SILICIO CRISTALIZADA RESULTA UNA LONGITUD TOTAL DE 5 A 200 <043>M DE CADA UNA DE LAS ZONAS CONDUCTORAS DE TIPOS P Y N. COMO PARES DE SUSTANCIAS IMPURIFICADORAS, SE EMPLEAN BORO/BISMUTO, INDIO/FOSFORO; GALIO/FOSFORO O ALUMINIO/ARSENICO. LA MODIFICACION PERIODICA DE BAJA A ALTA VELOCIDAD SE AJUSTA POR UNA MODIFICACION DE LA VELOCIDAD DE ESTIRADO O POR UNA VARIACION PERIODICA DE LA TEMPERATURA DE LA MASA FUNDIDA EN LA ZONA DEL FRENTE DE CRECIMIENTO.</p> |
