| 发明名称 |
Process for doping semiconductor bodies for the production of semiconductor devices. |
| 摘要 |
Zum örtlich selektiven Dotieren eines im wesentlichen aus Silicium bestehenden flächigen Trägers (11) für die Halbleiterfertigung im Diffusionsverfahren wird Aluminium als Dotiermittel im Vakuum bei Temperaturen über 500°C auf die Oberfläche (110, 112) der zu dotierenden Bereiche (115) des Trägers (11) aufgedampft und in den Träger (11) eindiffundieren gelassen; ein Teil (111) der Oberfläche des Trägers (11) ist mit einer Abdeckung oder Maske versehen, um die Dotierung des Trägers (11) unter der Abdeckung oder Maske zu verhindern; dabei wird als Abdeckung oder Maske eine auf dem Träger haftende Siliciumdioxidschicht (10) zusammen mit einer an der Siliciumdioxidschicht anliegenden Abdeck- oder Maskenplatte (14) verwendet.
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| 申请公布号 |
EP0061787(A1) |
申请公布日期 |
1982.10.06 |
| 申请号 |
EP19820200215 |
申请日期 |
1982.02.22 |
| 申请人 |
BBC AKTIENGESELLSCHAFT BROWN, BOVERI & CIE. |
发明人 |
VLASAK, THOMAS |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/027;H01L21/223;H01L21/225;(IPC1-7):H01L21/22;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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