发明名称 Method of driving a power FET switching transistor and circuit arrangements for carrying out this method.
摘要 Zum Einschalten eines Leistungs-Feldeffekt-Schalttransistors (T1) wird die Gate-Source-Kapazität durch Zuschalten eines Kondensators (C1) über einen ersten Transistor (T2, T3) aufgeladen. Zum Ausschalten des Leistungs-Feldeffekt-Schalttransistors (T1) wird die Gate-Source-Kapazität durch Einschalten eines zweiten Transistors (T3, T2) entladen. Damit erfolgt sowohl der Aufladevorgang als auch der Entladevorgang niederohmig, so daß er jeweils in kurzer Zeit ablauft. Infolgedessen werden die Schaltzeiten und somit auch Ein- bzw. Ausschaltverluste des Leistungs-Feldeffekt-Schalttransistors (T1) gering gehalten. Dabei ist weder eine gesonderte Hilfsspannungsquelle erforderlich, noch werden induktive Elemente benötigt.
申请公布号 EP0060336(A2) 申请公布日期 1982.09.22
申请号 EP19810109257 申请日期 1981.10.29
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 BETE, MANFRED
分类号 H03K17/695;H02M3/155;H03K17/0412;H03K17/042;H03K17/687;(IPC1-7):H03K17/04;H03K17/68;H02P13/32;H02M3/33 主分类号 H03K17/695
代理机构 代理人
主权项
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