DISPOSICION ORDENADA DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES

摘要

DISPOSICION ORDENADA DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES. FORMADO POR UNA PLURALIDAD DE TRANSISTORES (10) DISPUESTOS EN FILAS Y COLUMNAS, UNA PLURALIDAD DE LINEAS DE BITIO PRINCIPALES (12) PARALELAS A DICHAS COLUMNAS Y UNA COLUMNA DE RANSISTORES DE CELULA (16) DE EFERENCIA. COMPLETAN EL DISPOSITIVO UNA SERIE DE LINEAS DE PALABRA (1R0,R127) Y MEDIOS DE DETECCION (23) PARA PERCIBIR LA PRESENCIA DE UN TRANSISTOR DE CELULA DE MEMORIA EN UNA DIRECCION DETERMINADA.