| 摘要 |
Procede simplifiant considerablement la production de certains types de dispositifs a semi-conducteurs, p.ex. des lasers. Dans un mode de realisation, une geometrie en bande est fabriquee dans une structure laser-diode ayant une pluralite de couches epitaxiales, comprenant en tandem une couche de semi-conducteur a dopage p (4), une couche de semi-conducteur a dopage modere n (5) et une couche fortement dopee p+ (6), en focalisant la radiation laser sur la couche a semi-conducteur de dopage n (5). La radiation laser est choisie avec une longueur d'onde passant au travers de la couche a dopage p + (6) sans absorption. Lorsque la radiation laser est absorbee dans la couche a dopage n, la chaleur produite diffuse le dopant p depuis les deux couches adjacentes pour convertir la region exposee en type p. Au fur et a mesure que s'effectue le balayage du rayon laser, il se forme une bande ayant une jonction avant pn pour une action laser. |
