LASER A SEMICONDUCTEURS

摘要

DANS LE LASER A SEMICONDUCTEURS SELON LA PRESENTE INVENTION, UNE COUCHE-ELECTRODE SEMICONDUCTRICE 3C EST SENSIBLEMENT EN CONTACT AVEC UNE SECONDE COUCHE DE RECOUVREMENT 2C D'UN CORPS 2 A COUCHES STRATIFIEES ET POSSEDE UNE FAIBLE RESISTIVITE SPECIFIQUE; UNE TROISIEME COUCHE DE RECOUVREMENT DU CORPS 2 EST MUNIE D'UNE PREMIERE ELECTRODE 4; LE SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR 1 EST MUNI D'UNE SECONDE ELECTRODE 5; LA COUCHE-ELECTRODE SEMICONDUCTRICE 3C EST MUNIE D'UNE TROISIEME ELECTRODE 6; ET UNE PREMIERE SOURCE DE COURANT EST BRANCHEE ENTRE LES PREMIERE ET TROISIEME ELECTRODES, TANDIS QU'UNE SECONDE SOURCE DE COURANT EST BRANCHEE ENTRE LES SECONDE ET TROISIEME ELECTRODES, L'AGENCEMENT ETANT TEL QUE DES PREMIERE ET SECONDE COUCHES ACTIVES 2B, 2D SONT SIMULTANEMENT LE SIEGE D'UNE OSCILLATION LASER ET EMETTENT DEUX FAISCEAUX LASER INDEPENDANTS SUSCEPTIBLES D'ETRE MODULES AVEC UNE VALEUR DE COURANT DE SEUIL FAIBLE.