PROCEDE DE FABRICATION DE FILMS DE SILICIUM A DOPAGE DE TYPE P ET DISPOSITIF REALISE A PARTIR DE CES FILMS

摘要

REALISATION DE CELLULES SOLAIRES PHOTOVOLTAIQUES COMPRENANT A LA FOIS DES REGIONS DE FILMS DE SILICIUM DE TYPE P ET N POUR UN PROCEDE QUI UTILISE TOUT D'ABORD UN METAL DOPANT P DEPOSE AVEC DU SILICIUM PAR DECHARGE LUMINESCENTE ET COMPOSE DE PREFERENCE PAR DE L'HYDROGENE ET DU FLUOR. LE OU LES METAUX DOPANTS P TEL QUE L'ALUMINIUM ETANT UTILISES SOUS FORME DE VAPEUR PLUTOT QUE DANS UN COMPOSE GAZEUX. DE PREFERENCE DU BORE EST UTILISE PENDANT LA DECHARGE LUMINESCENTE PROVOQUANT LE DEPOT DE SILICIUM POUR CHAUFFAGE D'UN SUBSTRAT PORTE A DES TEMPERATURES DE 450 A 800C POUR LESQUELLES LA COMPENSATION POUR LE FLUOR EST TOUJOURS EFFICACE.