| 主权项 |
1.一种清洁物体表面之方法,包含:a.将该物体置于一压力室内之承载区上;b.加压该压力室;c.进行清洁处理,其中在该压力室中循环一种清洁化学物质;d.加压该压力室,以将至少一部分之该清洁化学物质排出该压力室;e.进行一系列降压循环,其中该压力室中之压力保持在高于超临界压力;及f.使该压力室通风。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该物体系一种基板,其选自金属、陶瓷、半导体、玻璃与其复合混合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中维持该压力室内之承载区的温度,使物体上之冷凝作用最小。4.如申请专利范围第3项之方法,其中加压该压力室包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室,而且其中该压力室内之承载区的温度高于该二氧化碳。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该压力室内之承载区的温度维持在大约65℃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该物体表面载有光阻残留物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该物体表面载有残留蚀刻反应物/副产物。8.如申请专利范围第1项之方法,其中加压该压力室包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室。9.如申请专利范围第8项之方法,其中以二氧化碳加压该压力室包含以二氧化碳将该压力室加压至2500psi。10.如申请专利范围第1项之方法,其中进行清洁处理之步骤中尚包含:a.将一种清洁化学物质注入该压力室;及b.加压该压力室。11.如申请专利范围第10项之方法,其中加压该压力室包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室。12.如申请专利范围第11项之方法,其中以二氧化碳加压该压力室包含以二氧化碳将该压力室加压至2800 psi。13.如申请专利范围第1项之方法,其中在该压力室内循环该清洁化学物质包含在该压力室内循环该清洁化学物质一段时间,去除该物体表面之污染物。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该段时间约等于三分钟。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该段时间约等于两分钟。16.如申请专利范围第10项之方法,其中进行清洁处理进一步包含加压该压力室,以将该清洁化学物质排出该压力室。17.如申请专利范围第16项之方法,其中加压该压力室以便将清洁化学物质排出该压力室包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室,以便将清洁化学物质排出该压力室。18.如申请专利范围第17项之方法,其中以二氧化碳加压该压力室包含以将该压力室加压至3000 psi。19.如申请专利范围第1项之方法,其中进行一系列降压循环包含进行至少两次降压循环。20.如申请专利范围第1项之方法,其中进行一系列降压循环包含进行一系列降压循环,使每次降压循环系由约2900 psi开始,并降至约2500 psi。21.一种自物体表面去除至少一部分材料之方法,该材料系选自光阻、光阻残留物、残留蚀刻反应物/副产物,及其组合物,该方法包含:a.将该物体置于压力室内之承载区上;b.加压该压力室;c.进行清洁处理,其中在该压力室中循环一种清洁化学物质;d.加压该压力室,以将至少一部分之该清洁化学物质排出该压力室;e.进行一系列降压循环,其中该压力室中之压力保持在高于超临界压力;及f.使该压力室通风。22.一种自物体表面去除污染物之方法,包含:a.将该物体置于压力室内之承载区上;b.加压该压力室;c.进行清洁处理;d.加压该压力室,以便将清洁化学物质排出该压力室;e.进行一系列降压循环;以及f.使该压力室通风。23.一种自半导体晶圆表面去除污染物之方法,包含以下步骤:a.将该晶圆置于压力室内之承载区上;b.将该压力室加压至足以形成超临界流体之第一压力;c.将一种清洁化学物质注入该压力室内;d.将该压力室之压力提高至第二压力;e.在该压力室入循环该清洁化学物质;f.将该压力室之压力提高,以便将清洁化学物质排出该压力室;g.进行一系列降压循环;以及h.使该压力室通风。24.如申请专利范围第23项之方法,其中进行一系列降压循环,使该压力室保持高于超临界压力。25.一种自物体表面去除污染物之设备,包含:a.包含一物体支座之压力室;b.用以加压该压力室之工具;c.用以进行清洁处理之工具;d.用以进行一系列降压循环之工具;以及e.用以使该压力室通风之工具。26.如申请专利范围第25项之设备,其中该物体系一种基板,其选自金属、陶瓷、玻璃与其复合混合物。27.如申请专利范围第25项之设备,其中维持承载该物体的工具之温度,使物体上之冷凝作用最小。28.如申请专利范围第25项之设备,其中用以加压该压力室之工具包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室之工具,而且其中承载该物体的工具之温度高于该二氧化碳。29.如申请专利范围第25项之设备,其中该污染物系一种光阻残留物。30.如申请专利范围第25项之设备,其中该污染物系残留蚀刻反应物/副产物。31.如申请专利范围第25项之设备,其中加压该压力室之工具包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室之工具。32.如申请专利范围第31项之设备,其中以二氧化碳加压该压力室之工具包含以二氧化碳将该压力室加压至2500 psi之工具。33.如申请专利范围第25项之设备,其中进行清洁处理之工具包含:a.将清洁化学物质注入该压力室之工具;b.加压该压力室之工具;以及c.循环该清洁化学物质之工具。34.如申请专利范围第33项之设备,其中以二氧化碳加压该压力室之工具包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室之工具。35.如申请专利范围第34项之设备,其中以二氧化碳加压该压力室之工具包含以二氧化碳将该压力室加压至2800 psi之工具。36.如申请专利范围第33项之设备,其中循环清洁化学物质之工具包含循环该清洁化学物质一段时间,以去除物体表面上之污染物的工具。37.如申请专利范围第36项之设备,其中该段时间约等于三分钟。38.如申请专利范围第36项之设备,其中该段时间约等于两分钟。39.如申请专利范围第33项之设备,其中进行清洁处理之膜进一步包含加压该压力室,以将该清洁化学物质排出该压力室之工具。40.如申请专利范围第39项之设备,其中加压该压力室以将该清洁化学物质排出该压力室之工具包含以气态、液态、超临界或近超临界二氧化碳加压该压力室,以将该清洁化学物质排出该压力室之工具。41.如申请专利范围第40项之设备,其中以二氧化碳加压该压力室之工具包含以二氧化碳将该压力室加压至3000 psi之工具。42.如申请专利范围第25项之设备,其中进行一系列降压循环之工具包含进行至少两次降压循环之工具。43.如申请专利范围第25项之设备,其中进行一系列降压循环之工具包含进行一系列降压循环,使每个降压循环自约2900 psi开始,并降至约2500 psi之工具。44.如申请专利范围第25项之设备,其中进行一系列降压循环之工具包含进行一系列降压循环,使该压力室保持高于超临界压力之工具。图式简单说明:图1系一流程图,显示根据本发明清洁物体表面之方法的流程。图2系一流程图,说明清洁处理(30a),其对应于进行图1所示流程(100)之清洁处理(30)。图3系一流程图,说明清洁处理(30b),其亦对应于进行图1所示流程(100)之清洁处理(30)。图4系压力/时间图,其目的在于说明本发明方法。 |
