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<P>PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPORTANT DEUX REGIONS JUXTAPOSEES 12, 16 DE TYPES DE CONDUCTIVITE OPPOSES ET CONTIGUES A LA SURFACE, QUI FORMENT ENSEMBLE UNE JONCTION P-N 9 DE PREFERENCE PERPENDICULAIRE A LA SURFACE, ET DONT LA CONCENTRATION DE DOPAGE DIMINUE VERS LA SURFACE.</P><P>CONFORMEMENT A L'INVENTION ON FORME SUR UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR 1 COTE A COTE DES COUCHES ENTERREES DE TYPE N ET DE TYPE P, SUR LESQUELLES ON FAIT CROITRE UNE COUCHE EPITAXIALE A RESISTIVITE ELEVEE. PAR CHAUFFAGE, LES DOPEURS DIFFUSENT A PARTIR DES COUCHES ENTERREES DANS TOUTE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE EPITAXIALE ET DANS LE SUBSTRAT. PAR LE CHOIX D'ATOMES DONNEURS ET ACCEPTEURS APPROPRIES (PAR EXEMPLE DU BORE ET DU PHOSPHORE DANS LE SILICIUM), ON OBTIENT DANS LA COUCHE EPITAXIALE DES REGIONS DE TYPE N ET P 12, 16, QUI FORMENT UNE JONCTION P-N 9 PERPENDICULAIRE A LA SURFACE A LA SUITE DE LA COMPENSATION DES DIFFUSIONS LATERALES S'OPERANT A PARTIR DES COUCHES ENTERREES.</P><P>APPLICATION: FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS.</P>
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