| 摘要 |
타겟 영역(230)과 적어도 부분적으로 일치하는 제1 잔류 플라즈마(227a)를 형성하며, 타겟 영역에 대해 제1 공간 분포의 타겟 재료(220b)를 포함하는 타겟을 제공하며 - 여기서, 타겟 재료는 플라즈마로 전환된 때에 EUV 광을 방출하는 재료를 포함함 -, 제1 잔류 플라즈마와 초기 타겟(220a)을 상호작용시키며 - 여기서, 이러한 상호작용은 타겟 영역에 성형 타겟(221b)을 형성하도록 타겟 재료를 제1 공간 분포로부터 성형 타겟 분포로 재배열하고, 성형 타겟이 성형 공간 분포로 재배열된 타겟 재료를 포함함 -, 성형 타겟에서의 타겟 재료의 적어도 일부를 EUV 광을 방출하는 플라즈마로 전환하기 위해 증폭 광빔을 타겟 영역을 향하여 지향시키며, 타겟 영역에 제2 잔류 플라즈마를 형성한다. |
