摘要 |
예를 들어 전자 디바이스들에 사용하기 위한 감광성 폴리이미드(PSPI) 막들을 처리하기 위한 방법들 및 장치가 본원에 제공된다. 본 기재의 일부 구체예들에서, 감광성 폴리이미드(PSPI) 막들을 경화시키기 위한 방법은 선택된 기판 상에 PSPI 막을 증착시키고; 약 20 내지 200,000 ppm의 산소 농도를 함유하는 선택된 대기 하에 약 200 내지 340℃의 선택된 온도에서 마이크로파 가열에 의해 막을 경화시키는 것을 포함한다. 공정 대기는 정적이거나 흐를 수 있다. 산소 첨가는 아크릴레이트 잔사의 제거를 향상시키고, 경화된 막의 T를 향상시키고, 마이크로파 공정의 특징인 낮은 처리 온도는 산소가 폴리이미드 백본을 손상하지 않도록 한다. 상기 방법은 경화 전에 PSPI 막의 광패턴화 및 현상 단계들을 추가로 포함할 수 있다. 이 공정은 전자 적용들을 위한 규소 상의 유전체 막들에 특히 적합하다. |