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<P>L'INVENTION CONCERNE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP.</P><P>AFIN D'AUGMENTER LA TENSION DRAIN-SOURCE APPLICABLE AU TRANSISTOR, ET PAR LA, LES NIVEAUX DE PUISSANCE REALISABLES, L'INVENTION PREVOIT DE MENAGER UNE MARCHE DANS L'INTERFACE 15 ENTRE LA COUCHE SEMI-CONDUCTRICE 14 ET LE SUBSTRAT 13, DE FACON QUE L'EPAISSEUR DE CETTE DERNIERE SOIT PLUS GRANDE SOUS L'ELECTRODE DE DRAIN D QUE SOUS L'ELECTRODE DE SOURCE S; L'ELECTRODE DE GRILLE G EST PLACEE A LA LIMITE ENTRE LES DEUX PARTIES D'EPAISSEURS DIFFERENTES DE CETTE COUCHE. DANS UNE VARIANTE, L'ELECTRODE DE GRILLE FORME UN CONTACT SCHOTTKY AVEC LA COUCHE.</P><P>APPLICATION: AMPLIFICATEURS POUR HYPERFREQUENCES EN TELECOMMUNICATION NOTAMMENT.</P>
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