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<p>Presse de liaison par diffusion (10) et methode pour effectuer la liaison par diffusion par thermo-compression de tampons contraints en cuivre structures (55, 65) directement sur l'une ou chacune des deux surfaces principales opposees (70a, 70b) d'une tranche d'un dispositif semi-conducteur sans substrat (70) ayant un premier revetement metallique (94, 96) de titane, chrome ou nickel et une couche (98, 100) de cuivre, argent ou or. La plaque de support en tungstene ou molybdene couteuse habituellement utilisee pour donner une integrite structurelle a la tranche du dispositif semi-conducteur relativement fragile est ainsi eliminee. La tranche peut avoir une surface des bords exterieurs biseautes passives (70c) avant une liaison. Une partie determinee de chaque tampon contraint en cuivre structure est liee par diffusion sur la tranche du dispositif semi-conducteur tout en soumettant la tranche seulement a une force sensiblement compressive, evitant ainsi la cassure de la tranche pendant le procede de liaison. Les tampons contraints en cuivre structures peuvent avoir des etendues laterales qui ne sont pas superieures a l'etendue laterale de la surface de la tranche du dispositif semi-conducteur qui sont respectivement en contact, permettant le nettoyage et la passivation de la surface biseautee apres la fixation des tampons contraints sur la tranche par liaison par diffusion. Lorsqu'un seul tampon (55 ou 65) est lie sur la tranche, un organe rigide, tel que du quartz peut etre interpose entre la plaque de la presse et la surface non-revetue de la tranche.</p> |
