| 摘要 |
<p>Un transistor a effet de champ planaire (TEC) comprend une pluralite d"electrodes de portes metalliques epitaxiales (14), espacees entre elles, de barriere Schottky flottantes (14) qui sont noyees dans un corps a semi-conducteur (12). Une electrode de drainage (26) et une electrode de commande de porte (28) sont formees sur une surface principale du corps tandis qu"une electrode de source (34), mise a la terre de maniere caracteristique, est formee sur une surface principale opposee du corps. Le canal du TEC s"etend verticalement entre la source et le drainage, et le debit de courant dans ce canal est commande par une tension de porte appropriee. Deux modes de fonctionnement sont possibles: 1) les regions d"appauvrissement des portes de commande et des portes flottantes resserrent le canal de sorte qu"avec une tension de porte de commande zero aucun courant ne s"ecoule de la source au drainage; ensuite, la polarisation progressive de la porte de commande ouvre le canal; et 2) les regions d"appauvrissement des portes de commande et des portes flottantes ne resserrent pas le canal, mais la polarisation inverse de la porte de commande produit le resserrement. TEC de G aAS dans lequel les electrodes de porte flottantes sont des couches epitaxiales (A1) developpees par epitaxie a rayon moleculaire. </p> |
