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Un dispositif a transistors a effets de champs fusionnes tridimensionnels, et des circuits incorporant de tels dispositifs, sont fabriques a partir de deux ou plusieurs corps d'un materiau a semi-conducteur dispose sur un substrat. La structure comprend au moins deux corps (20, 300) d'un materiau a semi-conducteur, chaque corps (20, 300) consistant en un materiau a la fois d'un premier type de conductivite et d un second type de conductivite. Chaque corps possede deux surfaces espacees de telle sorte qu'une partie de la premiere surface S2 du premier corps (20) soit adjacente a une surface S6 du second corps (300) et en est separee par une couche dielectrique (4) de telle sorte que la partie de surface sur le premier corps (20) forme l'electrode de porte d'un premier transistor a effet de champ Q2, et la source, le canal, et les regions de drainage du premier transistor a effet de champ sont formes par des zones superficielles sur la surface S6 du second corps (300). Sur la seconde surface S1 du premier corps (20) se trouvent egalement trois zones de surfaces adjacentes (21, 22, 23) a conductivite alternee qui forment la source, le canal, et la region de drainage d'un second transistor a effet de champ Q1. Dans le premier corps (20), une des regions superficielles (23) formant la source du second transistor a effet de champ Q1 est connectee electriquement avec la partie superficielle (25) sur la premiere surface S2 du premier corps (20) formant la porte du premier transistor a effet de champ Q2. Plus particulierement, la premiere zone superficielle (25) de la premiere surface S2 et la premiere zone superficielle (23) de la seconde surface S1 du premier corps forment une region commune ou fusionnee (23, 25, 27) ou un materiau semi-conducteur ayant la meme concentration de dopage. |
