发明名称 |
PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS PRESENTANT DES PROPRIETES DE CONVERSION OPTO-ELECTRONIQUES |
摘要 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PRESENTANT DES PROPRIETES DE CONVERSION OPTO-ELECTRONIQUES.CE PROCEDE SE CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND LES ETAPES SUIVANTES:A.ON PART D'UNE PLAQUETTE EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ZNTE DE TYPE P;B.ON SOUMET LA SURFACE SUPERIEURE DE LADITE PLAQUETTE A UNE DOUBLE DIFFUSION D'UNE IMPURETE ACCEPTRICE ET D'UNE IMPURETE DONATRICE EN MILIEU OXYDANT, DE TELLE FACON QU'ON CREE DANS ZNTE, D'UNE PART UNE ZONE COMPENSEE A RESISTIVITE ELEVEE ET D'AUTRE PART, SUPERFICIELLEMENT UNE ZONE D'INJECTION DE FAIBLE EPAISSEUR;C.ON REALISE SUR LES DEUX FACES DE LADITE PLAQUETTE UN CONTACT METALLIQUE.APPLICATION A LA REALISATION D'ECRANS DE VISUALISATION ET DE LECTURE DE DONNEES.
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申请公布号 |
FR2440083(A1) |
申请公布日期 |
1980.05.23 |
申请号 |
FR19780030497 |
申请日期 |
1978.10.26 |
申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
DANIEL BENSAHEL, JEAN-CLAUDE PFISTER ET LOUIS REVOIL;PFISTER JEAN-CLAUDE;REVOIL LOUIS |
分类号 |
H01L31/10;H01L21/205;H01L31/0296;H01L31/12;H01L33/00;(IPC1-7):01L31/12 |
主分类号 |
H01L31/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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