发明名称 PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS PRESENTANT DES PROPRIETES DE CONVERSION OPTO-ELECTRONIQUES
摘要 PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PRESENTANT DES PROPRIETES DE CONVERSION OPTO-ELECTRONIQUES.CE PROCEDE SE CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND LES ETAPES SUIVANTES:A.ON PART D'UNE PLAQUETTE EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ZNTE DE TYPE P;B.ON SOUMET LA SURFACE SUPERIEURE DE LADITE PLAQUETTE A UNE DOUBLE DIFFUSION D'UNE IMPURETE ACCEPTRICE ET D'UNE IMPURETE DONATRICE EN MILIEU OXYDANT, DE TELLE FACON QU'ON CREE DANS ZNTE, D'UNE PART UNE ZONE COMPENSEE A RESISTIVITE ELEVEE ET D'AUTRE PART, SUPERFICIELLEMENT UNE ZONE D'INJECTION DE FAIBLE EPAISSEUR;C.ON REALISE SUR LES DEUX FACES DE LADITE PLAQUETTE UN CONTACT METALLIQUE.APPLICATION A LA REALISATION D'ECRANS DE VISUALISATION ET DE LECTURE DE DONNEES.
申请公布号 FR2440083(A1) 申请公布日期 1980.05.23
申请号 FR19780030497 申请日期 1978.10.26
申请人 COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE 发明人 DANIEL BENSAHEL, JEAN-CLAUDE PFISTER ET LOUIS REVOIL;PFISTER JEAN-CLAUDE;REVOIL LOUIS
分类号 H01L31/10;H01L21/205;H01L31/0296;H01L31/12;H01L33/00;(IPC1-7):01L31/12 主分类号 H01L31/10
代理机构 代理人
主权项
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