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<P>Procédé permettant la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et suivant lequel, dans chaque plaquette d'un groupe de plaquettes, on élabore au moins une zone par implantation d'ions dopants et par traitement thermique subséquent Pour réduire les frais inhérents au traitement thermique (plaquettes distinctes à figure(s) de contrôle) et pour diminuer la différence entre les propriétés des plaquettes, on façonne dans chaque plaquette semi-conductrice au moins une figure de contrôle par ladite implantation. Après l'implantation des ions dopants, la figure de contrôle est soumise à un traitement thermique à l'aide d'un rayonnement intensif orienté sur ladite figure. Puis, on mesure les propriétés électriques de la figure de contrôle, et sur la base du résultat de cette mesure, on définit le traitement thermique définitif de l'entière plaquette. Application : transistor haute fréquence, diodes capacitives.</P>
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