发明名称 VERFAHREN ZUR EISENIONENIMPLANTATION IN EIN HALBLEITERSUBSTRAT
摘要
申请公布号 DE2838545(A1) 申请公布日期 1980.03.20
申请号 DE19782838545 申请日期 1978.09.04
申请人 SONY CORP. 发明人 MATSUSHITA,TAKESHI;HAYASHI,HISAO;MAMINE,TAKAYOSHI;NISHIYAMA,KAZUO
分类号 H01L21/22;H01L29/167;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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