发明名称 PROCEDIMENTO PER FOBMARE UNA ZONA DROGATA DI UN TIPO DI CONDUZIONE IN UN CORPO DI MATERIALE SEMICON DUTTORE NONCHE TRANSISTORE FABBRICATO SECONDO TALE PROCEDIMENTO
摘要
申请公布号 IT1043400(B) 申请公布日期 1980.02.20
申请号 IT19750028325 申请日期 1975.10.16
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 C23C8/08;C30B31/22;H01L21/225;H01L21/265;H01L29/08;H01L29/36;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 C23C8/08
代理机构 代理人
主权项
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