Constant voltage threshold semiconductor device.

摘要

Die Halbleiteranordnung für ein Schwellwertelement zur Bereitstellung einer nach Überschreitung eines zur Bereitstellung einer nach Überschreitung eines Schwellenspannungswertes im wesentlichen konstanten Spannung aus einer Spannungsschwankungen unterworfenen Spannungsquelle sieht eine in einem isolierten Halbleiterbereich (12) auf einem Substrat (10) ausgebildete Bauelementstruktur nach Art eines an sich bekannten Feldeffektelementes vor. Für die Begrenzerwirkung zwischen den Anschlüssen (S1, D1) zum Source- und Draingebiet (14, 16) wird dabei die bei entsprechender Vorspannung (V1) des isolierten Halbleiterbereichs (12) erfolgende Abschnürung des unter dem Draingebiet (16) bis zum Substrat (10) bestehenden Abstandsbereichs (t) ausgenützt. Damit lässt sich sowohl durch die Wahl dieses Abstandes als auch der Dotierungskonzentrationen der zugehörigen Halbleiterbereiche sowie der daran anliegenden festen Vorspannungspotentiale innerhalb eines grossen Bereichs ein jeweiliger Schwellenspannungswert vorgeben.