发明名称 PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO SEMICONDUTTORE AD OSSIDO METALLICO CON CONTATTI AUTOALLINEATI.
摘要
申请公布号 IT8019078(D0) 申请公布日期 1980.01.08
申请号 IT19800019078 申请日期 1980.01.08
申请人 AMERICAN MICRO SYST 发明人 LAL BATRA TARSAIM
分类号 H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/762;H01L23/52;H01L27/112;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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