发明名称 超微粒氮化铝粉末之制造方法
摘要
申请公布号 TW123918 申请公布日期 1989.12.01
申请号 TW078103182 申请日期 1989.04.27
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段 一○六号十八楼 发明人 王惠荣;吴南均
分类号 B22F9/04 主分类号 B22F9/04
代理机构 代理人 周良谋 新竹巿林森路二七八号十二楼之一;洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1﹒一种制造氮化铝粉末之方法;包括;a﹒将相氧化铝细粉末,矿黑细纷末以及高纯度氦化铝粉末在液体分散媒质内充分混合,其中氧化铝与碳黑之重量比率为1﹒6:1至2﹒5:1,而高纯度氮化铝之重量比率为氧化铝与碳黑之总重的1─5wt%;b﹒将上述混合均匀之混合物压成成形品;c﹒将上述成型品在氮气气氛内于1550℃-1650℃加热以还原氮化;d﹒将经加热之成形品取出并于600─700℃加热5─7小时以除去碳。2﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中氮化铝细粉末为平均粒径约0﹒4um者。3﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中碳黑之平均粒径约O﹒8um者。4﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中所用氧化铝与碳黑比率为2:1者。5﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤a﹒及b﹒之间另加入造粒之步骤者。6﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中之混合均匀的混合及取约1g1000─4000kg/cm2之压力,压成直径约15mm,厚度约1─5mm之薄片者。7﹒如申请专利范围第6项所述之方法,其中成型之压力为约2830kg/cm2者。8﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中之步骤c﹒之加热乃在1600℃进行者。9﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤c﹒中进入之氮气流量为100─300cc/分者。10﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤C﹒之还原氮化,乃是将成形品置于Al203之多孔板上进行者。11﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤c﹒之还原氮化之加热之持温时间为3─5小时者。图示简单说明第1图是不同Al2O3/C重量比率所合成粉末之SEM观察图;第2图是不同含碳量在1600℃恒温7小时后之X光绕射图;第3图是含碳量与氮化铝形成率之关系图;第4图是添加剂(AlN)对粉末影响之SEM观察图;第5图是添加氮化铝对于反应影响之X光绕射图;第6图是添加5we%AlN所合成之粉末之压力压成成形品在炉中以反应温度1600℃恒温7小时N2气流量200cc/分与日本德山曹达粉末(A)之X光绕射图比较;第7图是表示造粒后之粉末经乾压成形之压力效应图;第8图是不同重量之对照组(2/1)粉末经压形,反应后之X光绕射图:第9图是表示试片重量与氮化铝形成率之关系图;第10图是薄片试样放置在具有连通孔隙氧化铝板上还原氮化铝之示意图;第11图是理论组(2﹒83/1)成形试片经不同温度反应后之X之光绕射图:第12图是对照组(2/1)成形试片经不同温度反应后之X光绕射图;第13图是对照组(2/1)试片经不同温度反应后之SEM观察图;第14图是不同反应温度之氮化铝形成率;第15图是碳黑粉末石墨化(结晶化)光绕射图;第16图是理论组(2﹒83/1)成形粉末1600℃经不同时间反应后之X光绕射图;第17图是对照组(28/1)成形粉末在1600℃经不同时间反应后之X光绕射图;第18图是对照组(2/1)成形粉末在1600℃不同恒温时间之SEM观察图;第19图是在不同氮气流量下所合成之AIN粉末之SEM观察图;第20图是氮气流量与氮化铝形成率之关系图;图21图是在不同氮气流量下于1600℃反应后所合成之粉末之X光绕射图;第22图是本发明之氮化铝还原氦化法之可能机构示意图。
地址 台北巿和平东路二段一○