| 摘要 |
<p><P>L'invention procure un amplificateur de puissance de haute fréquence comprenant : un substrat en GaAs semi-isolant (18) sur lequel sont disposés un transistor bipolaire amplificateur (20), un circuit de polarisation (26), une borne de sortie de circuit de polarisation (32) connectée au circuit de polarisation (26), et une borne de connexion d'électrode de base (34) connectée au transistor bipolaire (20); une inductance sous forme de puce (16) connectée entre la borne de sortie de circuit de polarisation (32) et la borne de connexion d'électrode de base (34); et un substrat de montage (12) sur lequel le substrat en GaAs semi-isolant (18) et l'inductance sous forme de puce (16) sont disposés côte à côte.</P></p> |
