发明名称 半导体装置及多层配线基板
摘要 于多层配线构造所包含的第1配线层及第2配线层之间,夹设介电常数系平均2.5以下之气体或绝缘物。又,在第1配线层的配线及第2配线层的配线之间,设置导电连接体;且在第1配线层的既定配线及第2配线层的既定配线之间,设置介电常数系5以下之绝缘物热传导体。
申请公布号 TW200830514 申请公布日期 2008.07.16
申请号 TW096131781 申请日期 2007.08.28
申请人 国立大学法人 东北大学;财团法人国际科学振兴财团 发明人 大见忠弘
分类号 H01L23/522(2006.01) 主分类号 H01L23/522(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本