| 摘要 |
박형이며 광 취출 효율이 높은 광 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 광 반도체 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에, 서로 이격하는 제1 및 제2 도전 부재를 복수 형성하는 제1 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 사이에, 차광성 수지로 이루어지는 기체를 형성하는 제2 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 상에 광 반도체 소자를 재치시키는 제3 공정과, 광 반도체 소자를, 투광성 수지로 이루어지는 밀봉 부재로 피복하는 제4 공정과, 지지 기판을 제거한 후, 광 반도체 장치를 개편화하는 제5 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 제1 및 제2 도전 부재가, 도금인 것을 특징으로 한다. 이에 의해 박형이며 광 취출 효율이 높은 광 반도체 장치로 할 수 있다. |
