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发明名称 MEMORY TYPE INSULATED GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要
申请公布号 GB1553742(A) 申请公布日期 1979.09.26
申请号 GB19770008064 申请日期 1977.02.25
申请人 SONY CORP 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/36 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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