发明名称 Procédé pour réaliser des couches d'oxyde, planes et très pures, sur des monocristaux de silicium
摘要
申请公布号 FR1450842(A) 申请公布日期 1966.06.24
申请号 FR19650025092 申请日期 1965.07.19
申请人 SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人
分类号 H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/316 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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