COMPLEMENTARY MIS-SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

摘要

Dispositif a semi-conducteur comprenant une pluralite de cellules unitaires, dans lequel les cellules unitaires disposees dans le sens des rangees d'un substrat semi-conducteur definissant des rangees de cellules unitaires disposees dans le sens des colonnes d'un substrat semi-conducteur ainsi que des zones de rarefaction entre les rangees de cellules primitives. Chaque cellule unitaire est composee d'un premier et d'un second transistor MIS a canal P et d'un premier et d'un second transistor MIS a canal N. Le premier transistor MIS a canal P et le premier transistor MIS a canal N ont chacun une porte definissant une premiere porte commune unique, et le second transistor MIS a canal P ainsi que le second transistor MIS a canal N ont chacun une porte definissant une seconde porte commune unique. Les emetteurs des premier et second transistors MIS a canal p forment un premier emetteur commun et, d'autre part, les emetteurs des premier et second transistors MIS a canal N forment un second emetteur commun. Chacune des premiere et seconde portes communes est pourvue aux deux terminaux des rangees de cellules unitaires d'electrodes de borne et sont egalement munies, au centre des rangees de cellules unitaires d'electrodes centrales de borne. Les cellules unitaires comportent des petites zones de rarefaction qui s'etendent sur les deux cotes des rangees de cellules. Les zones de rarefaction peuvent etre utilisees comme zones pour le cablage dans le sens des colonnes de petites zones de rarefaction.