| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines gut haftenden Kontaktes mit Aluminium an einem Siliziumhalbleiterkoerper |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE1288690(B) |
申请公布日期 |
1969.02.06 |
| 申请号 |
DE1966D050748 |
申请日期 |
1966.08.03 |
| 申请人 |
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH |
发明人 |
HEINKE;WOLFGANG DIPL.-PHYS.;WEINERTH;HANS DR. |
| 分类号 |
C23C14/02;H01L21/00;H01L21/285;H01L21/306 |
主分类号 |
C23C14/02 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
